特許
J-GLOBAL ID：200903097715458593

半導体発光素子

発明者：
新井 優洋

新井 優洋 について

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飯塚 和幸

飯塚 和幸 について

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渡邊 禎就

渡邊 禎就 について

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塚原 健志

塚原 健志 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-103710
公開番号（公開出願番号）：特開2008-263015
出願日： 2007年04月11日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】良好な基板貼合せを実現でき、半導体発光素子の歩留りを向上できる高出力の半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光ダイオード100は、発光層部を有する化合物半導体層14と、化合物半導体層14を支持する導電性支持基板10と、化合物半導体層14と導電性支持基板10との間に設けられ、前記発光層部からの光を反射する金属光反射層9と、化合物半導体層14と金属光反射層9との接合界面の一部に形成された界面電極8と、導電性支持基板10の金属光反射層9側の主表面に接して形成されたTi層18と、Ti層18の金属光反射層9側の主表面に接して形成されたAuからなる金属接合層11と、化合物半導体層14の光取出し面となる第一主表面側に形成された表面電極12と、導電性支持基板10のTi層18とは反対側の主表面側に形成された裏面電極13とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層部を有する化合物半導体層と、 前記化合物半導体層を支持する導電性支持基板と、 前記化合物半導体層と前記導電性支持基板との間に設けられ、前記発光層部からの光を反射する金属光反射層と、 前記化合物半導体層と前記金属光反射層との接合界面の一部に形成された界面電極と、 前記導電性支持基板の前記金属光反射層側の主表面に接して形成されたTi層と、 前記Ti層の前記金属光反射層側の主表面に接して形成されたAuからなる金属接合層と、 前記化合物半導体層の光取出し面となる第一主表面側に形成された表面電極と、 前記導電性支持基板の前記Ti層とは反対側の主表面側に形成された裏面電極と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (10件)：
5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件)
  • 明るさの100倍の発光ダイオード蛍光管の置き換えが視野に
審査官引用 (2件)
  • 明るさの100倍の発光ダイオード蛍光管の置き換えが視野に
  • 明るさの100倍の発光ダイオード蛍光管の置き換えが視野に

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