特許
J-GLOBAL ID:200903085875906420
発光素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
菅原 正倫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-306519
公開番号(公開出願番号):特開2005-079264
出願日: 2003年08月29日
公開日(公表日): 2005年03月24日
要約:
【課題】 発光層部を含む化合物半導体層をAl系反射金属層で覆った発光素子において、Al系反射金属層と発光層部との間に配置された接触抵抗低減用の接合用合金化層からAl系反射金属層への成分拡散による反射率の低下を効果的に防止できる発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子100は、発光層部24を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、発光層部24からの光を光取出面側に反射させる反射面を有したAl系反射金属層10cが形成される。そして、該Al系反射金属層10cと化合物半導体層との間に、Alを主成分として化合物半導体層との接触抵抗を低減する合金成分を含有したAl系接合合金化層32が、反射面の一部を覆う形で配置される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有したAlを主成分とするAl系反射金属層が形成され、該Al系反射金属層と前記化合物半導体層との間に、Alを主成分として前記化合物半導体層との接触抵抗を低減するための合金成分を含有したAl系接合合金化層が、前記反射面の一部を覆う形で配置されてなることを特徴とする発光素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (7件):
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA37
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB15
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-230977
出願人:信越半導体株式会社
-
発光素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-160696
出願人:信越半導体株式会社
審査官引用 (15件)
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