封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：小野新次郎 , 社本一夫 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 串田幸一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-512014
公開番号（公開出願番号）：特表2009-538504
出願日： 2007年04月24日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法。この方法は、基板に隣接してプラズマ敏感性デバイスを設けるステップと、非プラズマベースのプロセス、または修正型スパッタリングプロセスから選択されたプロセスを使用して、プラズマ保護層をプラズマ敏感性デバイス上に堆積するステップと、少なくとも1つのバリアスタックをプラズマ保護層に隣接して堆積するステップであって、その少なくとも1つのバリアスタックが、少なくとも1つのデカップリング層と、少なくとも1つのバリア層とを備え、プラズマ敏感性デバイスが基板と少なくとも1つのバリアスタックとの間で封止され、デカップリング層、バリア層、または両方がプラズマプロセスを使用して堆積され、封止されたプラズマ敏感性デバイスが、プラズマ保護層なしで作製された、封止されたプラズマ敏感性デバイスに比べて、プラズマによって引き起こされる損傷の量が低減されている、ステップとを含む。封止されたプラズマ敏感性デバイスもまた述べられている。

請求項（抜粋）：

封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法において、基板に隣接してプラズマ敏感性デバイスを設けるステップと、非プラズマベースのプロセス、または修正型スパッタリングプロセスから選択されたプロセスを使用して、プラズマ保護層を前記プラズマ敏感性デバイス上に堆積するステップと、少なくとも1つのバリアスタックを前記プラズマ保護層に隣接して堆積するステップであって、前記少なくとも1つのバリアスタックが、少なくとも1つのデカップリング層と、少なくとも1つのバリア層とを備え、前記プラズマ敏感性デバイスが前記基板と前記少なくとも1つのバリアスタックとの間で封止され、前記デカップリング層、前記バリア層、または両方がプラズマプロセスを使用して堆積され、前記封止されたプラズマ敏感性デバイスが、前記プラズマ保護層なしで作製された、封止されたプラズマ敏感性デバイスに比べて、プラズマによって引き起こされる損傷の量が低減されている、ステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 , H05B 33/04 , H01L 51/50

FI (3件)：

H05B33/10 , H05B33/04 , H05B33/14 A

Fターム (15件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE46 , 3K107EE48 , 3K107EE49 , 3K107EE50 , 3K107GG02 , 3K107GG03 , 3K107GG04 , 3K107GG05 , 3K107GG06 , 3K107GG07 , 3K107GG08 , 3K107GG09

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-412076 出願人：株式会社豊田自動織機
基板上に作製される複数のデバイスを封入する方法および電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-127461 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
有機エレクトロルミネッセンスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-177170 出願人：株式会社アルバック

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