特許
J-GLOBAL ID：200903097759607804
GaN系半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283278
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112555
出願日： 1996年10月03日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 n電極とn伝導型のGaN系半導体層との間に安定したオーミック性を得る。【解決手段】 n伝導型のGaN系半導体層の上にV、Nb、Zr及びCrから選ばれる少なくとも一の金属又はこの金属を含む合金からなる下地層を形成し、更に該下地層の上に他の金属からなる主電極層を形成し、半導体層、下地層及び主電極層を熱処理することによりn電極を形成する。
請求項（抜粋）：
n伝導型のGaN系化合物半導体からなる半導体層を形成するステップと、該半導体層の電極形成部にV、Nb、Zr及びCrから選ばれる少なくとも一の金属又はこの金属を含む合金からなる下地層を形成するステップと、該下地層の上に他の金属からなる主電極層を形成するステップと、前記半導体層、下地層及び主電極層を熱処理するステップと、を含むGaN系半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/3065
H01L 33/00 C
, H01L 21/302 F
