半導体発光装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150610
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344013
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】シリコンを用いたフォトダイオードの受光感度が高い赤外波長領域の光の発光に適し、かつ発光出力の低下を伴うことなく遮断周波数の向上を図ることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】第1の半導体材料からなる支持基板の上に発光積層構造が配置されている。発光積層構造は、第2の半導体材料からなる量子井戸層、量子井戸層を挟み、第2の半導体材料よりもバンドギャップの大きな第3の半導体材料からなる一対のキャリア閉込層、量子井戸層と一対のキャリア閉込層との3層を挟み、第3の半導体材料よりもバンドギャップの大きな第4の半導体材料からなる一対のクラッド層とを含む。キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が100meV以上になるように、第3の半導体材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。

請求項（抜粋）：

第1の半導体材料からなる支持基板と、前記支持基板の上に配置された発光積層構造であって、第2の半導体材料からなる量子井戸層、該量子井戸層を挟み、該第2の半導体材料よりもバンドギャップの大きな第3の半導体材料からなる一対のキャリア閉込層、該量子井戸層と一対のキャリア閉込層との3層を挟み、該第3の半導体材料よりもバンドギャップの大きな第4の半導体材料からなる一対のクラッド層とを含み、該キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、該量子井戸層内の電子の基底準位との差が100meV以上になるように、前記第2及び第3の半導体材料、及び前記量子井戸層の厚さが選択されている前記発光積層構造と、前記発光積層構造にキャリアを注入するための電極とを有する半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/205

Fターム (22件)：

5F041AA02 , 5F041AA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA85 , 5F041CA92 , 5F041FF16 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF13 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045HA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

量子井戸結晶体および半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-114529 出願人：松下電器産業株式会社
半導体レーザ、並列伝送用光送信モジュール及びそれらを使用した応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292394 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-020536 出願人：日本電気株式会社

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