特許
J-GLOBAL ID:200903097973252789
結晶性シリコン前段膜及びその形成方法並びに結晶性シリコン膜及びその形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
谷川 昌夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-009944
公開番号(公開出願番号):特開平11-214305
出願日: 1998年01月21日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】?@これから得られる結晶性シリコン膜の結晶粒径を制御できる結晶性シリコン前段膜?Aその形成方法?B粒径が制御された良好な結晶性シリコン膜?Cその形成方法をそれぞれ提供する。【解決手段】?@被成膜物品10との界面部分にシリコンの微結晶核層L1、L2を有し、その上にアモルファスシリコン層を有する結晶性シリコン前段膜M1、M2?A膜形成の初期に物品10にイオンビ-ムを照射して、物品10表面にシリコンの微結晶核層L1、L2を形成し、その後イオンビ-ム照射を停止して微結晶核層L1、L2上にアモルファスシリコン層A1、A2を形成する結晶性シリコン前段膜M1、M2の形成方法?B結晶性シリコン前段膜にエネルギビームを照射して得られた結晶性シリコン膜?C結晶性シリコン前段膜にエネルギビームを照射して結晶性シリコン膜とする方法。
請求項(抜粋):
結晶化処理により結晶性シリコン膜を得るための、被成膜物品上に形成された結晶性シリコン前段膜であって、該被成膜物品との界面部分に該物品との混合層を有し、該混合層上にアモルファスシリコン層を有することを特徴とする結晶性シリコン前段膜。
IPC (6件):
H01L 21/20
, C01B 33/02
, C23C 16/24
, C23C 16/56
, H01L 21/205
, C23C 14/22
FI (6件):
H01L 21/20
, C01B 33/02 D
, C23C 16/24
, C23C 16/56
, H01L 21/205
, C23C 14/22 A
引用特許:
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