特許
J-GLOBAL ID：200903097980645621

シリコン単結晶の製造方法

発明者：
倉垣 俊二

倉垣 俊二 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041584
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239096
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：
【要約】【課題】結晶成長方向の酸素濃度分布および結晶面内の酸素濃度分布を均一に制御するとともに、有転位化を防止できるシリコン単結晶を製造できる。【解決手段】(1) 坩堝内に収容される溶融液に引上げ軸に対して等軸対称のカスプ磁場を印加しつつ結晶を引上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、単結晶の引上げ過程では雰囲気圧力が特定値以上になるように制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。(2) 上記雰囲気圧力の特定値を50Torrにするのが望ましく、さらに80Torrにするのが一層望ましい。また、上記カスプ磁場の強度は300G〜600Gの範囲で適用するのが望ましい。
請求項（抜粋）：
坩堝内に収容される溶融液に引上げ軸に対して等軸対称のカスプ磁場を印加しつつ結晶を引上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、単結晶の引上げ過程では雰囲気圧力を特定値以上の値で変化させ制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 30/04
FI (2件)：
C30B 29/06 502 G ,  C30B 30/04
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA05 ,  4G077EJ02 ,  4G077PA06 ,  4G077PF51 ,  4G077RA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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