特許

J-GLOBAL ID：200903098050993774

レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 平野 修史 ,  水谷 一良 ,  杉山 真一 ,  横山 滋郎
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-256201
公開番号（公開出願番号）：特開2009-086310
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス(LWR)、更に、KrFにおいては、高反射基板における、定在波、形状、レジスト膜厚変動によるスイングが低減されたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)側鎖に酸分解性基を有する繰り返し単位及びヘテロ環基を有する繰り返し単位を有する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解性を増大させ、下記一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位を有する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (17件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BF29 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC13 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許第4491628号明細書
  
• 新規なレジスト材料及びパタ-ン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-173830   出願人：和光純薬工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-266776   出願人：信越化学工業株式会社
• 米国特許第5561194号明細書
  
• 特許第3116751号明細書
  
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-432686   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型感光性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-261635   出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (2件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-079221   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-288764   出願人：富士通株式会社