特許

J-GLOBAL ID：200903098069529939

抵抗スイッチングNiO層を含むメモリ素子の製造方法、およびそのデバイス

発明者： ロレーヌ・クールタード ,  フディット・リソニ・レイエス ,  リュドヴィク・グゥ ,  クリスティアン・トゥルカ ,  クリストフ・ミュラー ,  ディルク・ウーテルス
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ,  ウニヴェルシテ・ドゥ・シュド・トゥーロン-ヴァール
代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-286836
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164580
出願日： 2008年11月07日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

【課題】データを蓄積するために使用される、可逆的な抵抗スイッチング層を含む不揮発性メモリデバイスにおいてON状態のデータ保持を良好とする製造方法。【解決手段】抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子であって、上部電極と下部電極とに挟まれた抵抗スイッチング金属酸化物層を含み、金属酸化物層は、厚み方向に傾斜した酸素を有するメモリ素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

抵抗スイッチング不揮発性メモリ素子であって、 上部電極と下部電極とに挟まれた抵抗スイッチング金属酸化物層を含み、 金属酸化物層は、厚み方向に傾斜した酸素を有するメモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (15件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR14 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-070322   出願人：シャープ株式会社
• 記憶素子及び記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182775   出願人：ソニー株式会社
• 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130645   出願人：三星電子株式会社
• 可変抵抗素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-125766   出願人：シャープ株式会社