特許
J-GLOBAL ID:200903034399603355
可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
政木 良文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-070322
公開番号(公開出願番号):特開2008-235427
出願日: 2007年03月19日
公開日(公表日): 2008年10月02日
要約:
【課題】 LSIプロセス整合性が良く、更にフィラメントパスを形成しなくても抵抗スイッチング動作が可能で、かつ安定な抵抗値、保持特性を示す可変抵抗素子を提供する。【解決手段】 第1電極2と第2電極3の間に可変抵抗体4が狭持され、第1電極2と第2電極3の間に電圧パルスが印加されることで両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、可変抵抗体4が、遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されており、第1電極2と接触する第1接触面から、第2電極3と接触する第2接触面に向けて、含有されている酸素濃度が低下する遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が狭持され、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧パルスが印加されることで両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、
前記可変抵抗体が、
遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されており、前記第1電極と接触する第1接触面から、前記第2電極と接触する第2接触面に向けて、含有されている酸素濃度が低下する遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されていることを特徴とする可変抵抗素子。
IPC (5件):
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, H01L 21/822
, H01L 27/04
FI (4件):
H01L27/10 451
, H01L45/00 C
, H01L49/00 Z
, H01L27/04 V
Fターム (21件):
5F038AR07
, 5F038AR14
, 5F038AR16
, 5F038AV01
, 5F038DF05
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ16
, 5F038EZ20
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083PR12
, 5F083PR22
, 5F083PR40
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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