特許
J-GLOBAL ID：200903098071646594

半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システム

発明者：
内田 護

内田 護 について

, 
黒田 亮

黒田 亮 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133416
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323790
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】高効率で、アレイ化可能で、作製の容易な半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システムである。【解決手段】半導体近接場光源は、化合物半導体基板11表面の正三角形の基板露出面上に、その露出面を1面として有する三角錐構造の化合物半導体層が積層され、三角錐構造が、層厚方向に積層された一対の半導体多層膜反射鏡及び活性層を少なくとも含む面発光レーザ構造12を有する。三角錐構造の頂点近傍に面発光レーザ12の発振波長オーダ以下の微小開口13が形成され、面発光レーザ12の発振光が微小開口13に導かれて近接場光を発生する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板表面の正三角形の基板露出面上に、その露出面を1面として有する三角錐構造の化合物半導体層が積層され、該三角錐構造が、層厚方向に積層された一対の半導体多層膜反射鏡及び活性層を少なくとも含む面発光レーザ構造を有し、該三角錐構造の頂点近傍に該面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口が形成され、該面発光レーザの発振光が該微小開口に導かれて近接場光を発生することを特徴とする半導体近接場光源。
IPC (3件)：
H01S 5/183 ,  G02B 21/06 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01S 3/18 652 ,  G02B 21/06 ,  H01L 21/30 515 B
Fターム (18件)：
2H052AA00 ,  2H052AA07 ,  2H052AC33 ,  2H052AC34 ,  5F046AA02 ,  5F046AA10 ,  5F046DA27 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB05 ,  5F073AB16 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM