特許
J-GLOBAL ID：200903098082545498

発光ダイオードの構造及び製造方法

発明者：
シー ミン チェン

シー ミン チェン について


出願人/特許権者：
エピテック コーポレイション リミテッド

エピテック コーポレイション リミテッド について

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シー ミン チェン

シー ミン チェン について


代理人 (1件)： 遠山 勉 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-023232
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174196
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】発光ダイオード(LED)の構造及び製造方法を提供する。【解決手段】LEDの製造方法は、基板の上にバッファ層、第一閉じ込め層、活性層、第二閉じ込め層及びウィンドウ層を順次形成するステップと、基板の下に第一金属電極を形成するステップと、ウィンドウ層の上に、ウィンドウ層との間にショットキー接触面518が存在する第二金属電極を形成するステップと、第二金属電極の上に高融点の特徴を有する第三金属電極を形成するステップと、第三電極及びウィンドウ層の上に、ウィンドウ層との間にオーム接触面が存在する第四金属電極を形成するステップと、第四金属電極の上に良好な密着性の特徴を有する第五金属電極を形成するステップとを含む。キャリヤは、ショットキー電極とウィンドウ層との間のエネルギー障壁によって、下方への移動が阻止されるため大いに拡がり、発光ダイオードの発光効率が向上する。
請求項（抜粋）：
タイプIの伝導性能を有する基板と、前記基板の一側面の上にあり、III族からV族化合物の複数のエピタキシャル半導体層を有し、電流が注入されると複数の光子が生成されるエピタキシャル構造と、前記エピタキシャル構造の上にある電極構造と、を含み、前記電極構造は、前記エピタキシャル構造の上にあり、第一表面パターンを有し、かつ前記エピタキシャル構造との間にショットキー接触表面が存在する第一電極と、前記第一電極の上にあり、第二表面パターンを有する第二電極と、前記第二電極及び前記エピタキシャル構造の上にあり、第三表面パターンを有し、かつ前記エピタキシャル構造との間に第一オーム接触表面が存在する第三電極と、前記第三電極の上にある第四電極と、を含む発光ダイオードの構造。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/48 H
Fターム (27件)：
4M104AA01 ,  4M104AA05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH05 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA08 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F041CB02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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