発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-164893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359401
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】発光層部を含む半導体積層構造そのものの構造変更を行なうことなく、光取出効率が大幅に改善された発光素子を提供する。【解決手段】発光素子100は、化合物半導体層からなる発光層部24を有した素子本体部60と、発光層部24に発光駆動電圧を印加するために素子本体部60の表面に設けられた電極10とを有する。該電極において、素子本体部60との接触面を含む部分に、発光駆動電圧の印加により素子本体部60側への通電電流が優先的に流れることを許容する電流許容層部8と、素子本体部60側への通電電流密度が電流許容層部8よりも小さくなる電流抑制層部7とが形成されている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体層からなる発光層部を有した素子本体部と、前記発光層部に発光駆動電圧を印加するために前記素子本体部の表面に設けられた電極とを有し、該電極の前記素子本体部との接触面を含む部分に、前記発光駆動電圧の印加により、前記素子本体部側へ通電電流が優先的に流れることを許容する電流許容層部と、前記素子本体部側への通電電流密度が前記電流許容層部よりも小さくなる電流抑制層部とが形成されていることを特徴とする発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 G , H01L 21/28 301 H

Fターム (29件)：

4M104AA05 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB10 , 4M104BB11 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104EE02 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104HH20 , 5F041AA03 , 5F041CA12 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041CA91 , 5F041CA92 , 5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-280332 出願人：ローム株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-093117 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
発光ダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-208870 出願人：日本ビクター株式会社

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