特許
J-GLOBAL ID：200903007919783656

発光ダイオード装置及びその製造方法

発明者：
上山 智

上山 智 について

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吉井 重雄

吉井 重雄 について

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宮永 良子

宮永 良子 について

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西川 孝司

西川 孝司 について

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齋藤 徹

齋藤 徹 について

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佐々井 洋一

佐々井 洋一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294317
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135834
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 短波長発光ダイオード装置において、外部量子効率と生産性とを共に高められるようにする。【解決手段】 n型GaAsからなる基板11の上に、ブラッグ反射器構造を有する反射層14と、n型ZnMgSSeからなる第1のクラッド層15と、Zn1-x Cdx Seからなる量子井戸活性層17と、p型ZnMgSSeからなる第2のクラッド層19と、p型ZnTeからなるコンタクト層22とが順次積層されて形成されている。コンタクト層22の上面には、該コンタクト層22に対してポテンシャル障壁が0.3eV以上のAlからなるパッド用のショットキ電極23が設けられており、コンタクト層22の上面には、ショットキ電極23を含む全面にわたって発光光を透過させるp側オーミック電極24が形成されており、基板11における結晶成長面の裏面にはn側オーミック電極25が形成されている。
請求項（抜粋）：
n型の半導体基板の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成されたp型のコンタクト層と、前記コンタクト層の上に選択的に形成され、前記コンタクト層とショットキ接触するボンディングパッド用のショットキ電極と、前記コンタクト層の上における前記ショットキ電極の周辺部に前記ショットキ電極と電気的に接続されるように形成され、前記活性層からの発光光を透過させるオーミック電極とを備えていることを特徴とする発光ダイオード装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (25件)
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-147773   出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157878   出願人：シャープ株式会社
  • 半導体発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-328337   出願人：ローム株式会社
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