特許
J-GLOBAL ID：200903098162965331

SiO2系セラミックス膜の形成方法

発明者：
山田 一博

山田 一博 について

, 
舟山 徹

舟山 徹 について


出願人/特許権者：
東燃株式会社

東燃株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000175
公開番号（公開出願番号）：特開2000-198160
出願日： 1999年01月04日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 各種基材に耐溶剤性を付与すると共に、又は中間層を設けることなく、ポリシラザン膜の各種基材に対する密着性を高める方法を提供すること。【解決手段】 基材上にポリシラザンを含む塗膜を形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記基材と前記塗膜の間にシランカップリング剤を含むプライマー層を設ける工程を含むことを特徴とする方法。ポリシラザン及びシランカップリング剤を含むコーティング組成物を調製し、次いで前記コーティング組成物の塗膜を基材上に形成し、その後前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成することを特徴とする方法。
請求項（抜粋）：
基材上にポリシラザンを含む塗膜を形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記基材と前記塗膜の間にシランカップリング剤を含むプライマー層を設ける工程を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
B32B 9/00 ,  C03B 19/12
FI (2件)：
B32B 9/00 A ,  C03B 19/12 A
Fターム (19件)：
4F100AA20B ,  4F100AD00B ,  4F100AH06C ,  4F100AK45 ,  4F100AK52B ,  4F100AK80B ,  4F100AS00C ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100EH462 ,  4F100EJ082 ,  4F100EJ422 ,  4F100EJ65C ,  4F100JB07 ,  4F100JK06 ,  4G014AH00
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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