半導体製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石戸久子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043179
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243702
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】半導体製造においては、加熱炉内の温度条件が極めて重要であるが、加熱炉内の温度が所望プロファイルではない場合、これに対処する手段が何ら講じられていなかった。この発明の課題は、前記課題を解決する装置の提供にある。【解決手段】加熱部5を備えた加熱炉内にウェハ7を収納し、加熱炉内を所定の温度に加熱してウェハ7に処理を施す半導体製造装置において、加熱炉内の温度を任意の時点でその実測温度に維持することのできる手段を備えた半導体製造装置。

請求項（抜粋）：

加熱炉内に処理対象の基板を収納し、前記加熱炉内を所定の温度に加熱して前記基板に処理を施す半導体製造装置において、前記加熱炉内の温度を任意の時点でその実測温度に維持することのできる手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。

Fターム (3件)：

5F045DP19 , 5F045GB05 , 5F045GB15

引用特許：

審査官引用 (5件)

制御系への外乱抑制回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-056914 出願人：三菱重工業株式会社
プロセス制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-073043 出願人：株式会社東芝
半導体製造装置の縦型炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-197989 出願人：国際電気株式会社

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