特許
J-GLOBAL ID：200903098248908241

電子放出素子の製造方法、電子放出素子、帯電装置及び画像形成装置

発明者：
近藤 浩

近藤 浩 について

, 
菅原 智明

菅原 智明 について

, 
庄子 浩義

庄子 浩義 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 柏木 慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080179
公開番号（公開出願番号）：特開2002-279892
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 電子放出素子の製造コストを低減する。【解決手段】 基板上に半導体層13、絶縁体層11及び薄膜電極12が順次積層されてなり、電圧を印加することにより電子を放出する電子放出素子Aを製造する。半導体層13、絶縁体層11の製造は、微粒状のシリコンを微粒子吹き付け法により基板上に形成することでおこなう。これにより、半導体層13はシリコン膜として形成され、絶縁体層11はシリコンが酸化又は窒化した膜として形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層、絶縁体層及び電極が順次積層されてなり、電圧を印加することにより電子を放出する電子放出素子を製造する電子放出素子製造方法において、粒状の半導体材料を微粒子吹き付け法により前記基板上に形成することで当該基板上に前記半導体材料からなる前記半導体層と前記半導体材料が酸化又は窒化した前記絶縁体層とを順次形成する第1の工程と、この第1の工程後、前記絶縁体層上に電極を形成する第2の工程と、を含んでなることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02 ,  G03G 15/02 101 ,  H01J 1/312
FI (3件)：
H01J 9/02 M ,  G03G 15/02 101 ,  H01J 1/30 M
Fターム (8件)：
2H200FA01 ,  2H200FA07 ,  2H200HA14 ,  2H200HB14 ,  2H200HB43 ,  2H200HB45 ,  2H200HB48 ,  2H200MA01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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