窒化シリコン膜及びその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：木森有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085721
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292877
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】バリア性が高く、透明で密着性に優れた窒化シリコン膜を、低温で高速成膜する。【解決手段】化学気相成長法、特に触媒CVD法により成膜される窒化シリコン膜である。基板温度160°C以下で成膜され、その組成をSiNxと表したときに1.05≦x≦1.33であり、屈折率が1.8以上、1.96以下である。膜中には、NH結合が存在している。成膜に際しては、モノシラン、アンモニア及び水素を供給するとともに、通電加熱されたワイヤで接触分解させ、温度160°C以下の基板上に堆積させる。このとき、モノシラン、アンモニア及び水素の流量比は、モノシラン1に対してアンモニアが1以上、30以下、水素が5以上、400以下とする。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

化学気相成長法により成膜される窒化シリコン膜であって、基板温度160°C以下で成膜され、その組成をSiNxと表したときに1.05≦x≦1.33であり、波長633nmでの屈折率が1.8以上、1.96以下であることを特徴とする窒化シリコン膜。

IPC (4件)：

C23C16/42 , B32B9/00 , C01B21/06 , H01L21/318

FI (4件)：

C23C16/42 , B32B9/00 A , C01B21/06 N , H01L21/318 B

Fターム (28件)：

4F100AA12B , 4F100AB11 , 4F100AH05 , 4F100AT00 , 4F100BA02 , 4F100EH66B , 4F100EJ59 , 4F100JD02 , 4F100JK17A , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA40 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA01 , 5F058BA07 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-159576
薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265243 出願人：ソニー株式会社, 松下電器産業株式会社, 富士通株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長
薄膜製造装置および薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-258336 出願人：ソニー株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長

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