窒化シリコン層およびその成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175517
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367991
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】触媒CVD法により、表面の平滑性、含有酸素濃度、下地からの剥離しにくさの諸点で優れた高品質の窒化シリコン層を成長させる。【解決手段】表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板4上に触媒CVD法により窒化シリコン層10を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を1.33×10-3Pa以上4Pa以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を6.65×10-10 Pa以上2×10-6Pa以下に設定する。成長された窒化シリコン層10の基板4との界面から少なくとも厚さ10nmの部分の最大酸素濃度は5×1020原子/cm3 以下となる。

請求項（抜粋）：

基板上に触媒CVD法により成長させた窒化シリコン層であって、上記基板と上記窒化シリコン層との界面から少なくとも厚さ10nmの部分の最大酸素濃度が5×1020原子/cm3 以下であることを特徴とする窒化シリコン層。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , C23C 16/34 , C23C 16/44 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/318 B , C23C 16/34 , C23C 16/44 A , H01L 21/31 B

Fターム (23件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030FA17 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030LA15 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AE11 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AF07 , 5F045DA59 , 5F058BC08 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BF36

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-072682 出願人：株式会社東芝
絶縁膜の形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-198689 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-049428

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