特許
J-GLOBAL ID：200903098270085542

磁気検出素子

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について

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斎藤 正路

斎藤 正路 について

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梅津 英治

梅津 英治 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (2件)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182289
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005278
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 特に、固定磁性層を構成する複数の薄膜層の磁歪を全体的に増強でき、前記固定磁性層を強固に固定できる磁気検出素子を提供することを目的としている。【解決手段】 固定磁性層23を構成する複数の薄膜層のうち、GMR効果に直接寄与しない第1薄膜層23aに第1磁歪増強層22を接合させ、前記第1薄膜層23aの磁歪定数を外部から増強させるとともに、前記第2薄膜層23cの内部に第2磁歪増強層23c2,23c4を挿入することで前記第2薄膜層23cの磁歪定数を内部から増強させ、これによってGMR効果を良好に維持しながら前記固定磁性層23全体の磁歪定数を大きくでき、また保磁力をも増強でき、前記固定磁性層23を適切に磁化固定できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
固定磁性層と、非磁性材料層と、フリー磁性層とが積層されている多層体を有して成る磁気検出素子において、 前記固定磁性層は、複数の磁性を有する薄膜層が非磁性中間層を介して積層されたものであり、 前記複数の薄膜層のうち前記非磁性材料層から最も離れた位置に形成されている第1薄膜層の、前記非磁性材料層側と反対側の面には、非磁性金属製の第1磁歪増強層が前記第1薄膜層に接して設けられ、 少なくとも、前記複数の薄膜層のうち1つの薄膜層は、複数の磁性層と、前記磁性層間に介在する非磁性金属製の第2磁歪増強層との積層構造で構成され、 前記複数の磁性層は全て同じ方向で且つ、前記非磁性中間層を介して隣接する薄膜層と反平行に磁化されており、 前記第1磁歪増強層内と前記第1薄膜層内との少なくとも一部の結晶、及び第2磁歪増強層内と前記磁性層内との少なくとも一部の結晶はエピタキシャルまたはヘテロエピタキシャルな状態であり、前記固定磁性層の記録媒体との対向面側の端面が開放されていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/10
FI (7件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
Fターム (11件)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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