特許
J-GLOBAL ID：200903098287564193
半導体素子のキャパシタ構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356417
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269454
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 下部電極の整合性を向上させ、安定したコンタクトを形成できる高誘電膜を用いた半導体素子のキャパシタ構造及びその製造方法に関するものである。【解決手段】 不純物層が形成された半導体基板と、導電性物質で充填したコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、その上面に形成された第1酸化膜と、第1酸化膜の上面に形成された窒化膜と、窒化膜上にパターニングされた第2酸化膜と、第2酸化膜の側面と窒化膜の上面及び側面と第1酸化膜の側面とコンタクトホールの上面とに形成された拡散防止膜と、拡散防止膜の上面に形成された下部電極と、第2酸化膜の上面と拡散防止膜の上面と下部電極の上面とに形成された高誘電膜と、高誘電膜の上面に形成された上部電極と、から構成されたものである。これによって、下部電極の整合性を向上させ安定したコンタクトを形成できる。
請求項（抜粋）：
表面に不純物層が形成された半導体基板と、前記不純物層に連結され内部を導電性物質で充填したコンタクトホールを有しており前記半導体基板の上面に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上面に形成された第1酸化膜と、該第1酸化膜の上面に形成された窒化膜と、該窒化膜の所定領域上にパターニングされた第2酸化膜と、該第2酸化膜の側面と該第2酸化膜が形成されていない窒化膜の上面及び側面と前記第1酸化膜の側面と前記コンタクトホールの上面とに形成された拡散防止膜と、該拡散防止膜の上面に形成された下部電極と、前記第2酸化膜の上面と前記拡散防止膜の上面と前記下部電極の上面とに形成された高誘電膜と、該高誘電膜の上面に形成された上部電極と、から構成されたことを特徴とする半導体素子のキャパシタ構造。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
5F083AD24
, 5F083GA27
, 5F083JA06
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
