特許
J-GLOBAL ID：200903098304534880
基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐伯 憲生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299141
公開番号（公開出願番号）：特開2004-130258
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】本発明は、有機金属錯体を使用した際の有機金属錯体の安全性、安定性、反応生成物に存在する徴量金属の除去、廃液処理等の問題を解決することを目的にしている。【解決手段】本発明は、ガリウム砒素基板などの基板の表面に硫黄原子を蒸着し、次いで当該基板の表面に有機金属錯体、例えば、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム(Pd(PPh3)4)などを結合させてなる、表面に有機金属錯体が結合した基板、それを用いた基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法に関する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板の表面に硫黄原子を蒸着し、次いで当該基板の表面に有機金属錯体を結合させてなる、表面に有機金属錯体が結合した基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069AA11
, 4G069BA27A
, 4G069BA27B
, 4G069BC72B
, 4G069BE27B
, 4G069CB59
, 4G069FA03
, 4G069FB02
, 4G069FB03
, 4G069FB14
, 4H039CA29
, 4H039CA41
, 4H039CD10
, 4H039CD20
