特許
J-GLOBAL ID：200903098309334278

半導体装置

発明者：
日高 秀人

日高 秀人 について

, 
須磨 克博

須磨 克博 について

, 
鶴田 孝弘

鶴田 孝弘 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-290046
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072610
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 ダイシングによる損傷が低減された半導体装置を提供する。【解決手段】 SOI基板10上に、フィールドシールドゲート44を含むフィールドシールド分離領域が素子分離のために形成される。SOI基板10を複数のチップに分断する際の切断線であるダイシングライン62近傍のフィールドシールドゲート44は、エッチングによって切断前に予め除去される。【選択図】 図28
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された埋込絶縁層と、前記埋込絶縁層上に形成された半導体活性層とを含むSOI基板と、 前記半導体活性層上に形成されたフィールドシールド絶縁膜と、前記フィールドシールド絶縁膜上であって切断されるべきダイシングライン以外の所定領域に形成されたフィールドシールド絶縁膜とを含むフィールドシールド分離領域とを備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L21/8242 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L27/108
FI (6件)：
H01L27/10 671C ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 625B ,  H01L27/10 681D
Fターム (19件)：
5F032AA01 ,  5F032AA35 ,  5F032AA47 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F083AD02 ,  5F083AD16 ,  5F083AD17 ,  5F083AD21 ,  5F083CR17 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA56 ,  5F083KA02 ,  5F083KA05 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083NA05 ,  5F083ZA10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-328123   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060526   出願人：セイコー電子工業株式会社
  • 特開平1-181459
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