特許
J-GLOBAL ID：200903098337363356

熱処理装置、及び熱処理方法

発明者：
岩城 浩之

岩城 浩之 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-323335
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135135
出願日： 2004年11月08日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 化学増幅型の処理液が塗布形成され露光処理された被処理体に対する現像処理前の熱処理工程において、処理液の化学反応を制御することにより、所望の線幅の回路パターンを得ることのできる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。【解決手段】 表面に化学増幅型の処理液Rが塗布され露光処理された被処理体Wに対し、現像処理前の熱処理を行う熱処理装置20において、前記被処理体Wを所定温度に加熱する加熱手段23と、処理液Rが塗布された被処理体Wの表面に対し、略直交する方向に磁場を発生させ、かつ、磁場の方向を反転させる磁場発生手段50と、少なくとも前記加熱手段23による加熱処理の間、前記磁場発生手段50を作動させる制御手段と、を備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面に化学増幅型の処理液が塗布され露光処理された被処理体に対し、現像処理前の熱処理を行う熱処理装置において、 前記被処理体を所定温度に加熱する加熱手段と、 処理液が塗布された被処理体の表面に対し、略直交する方向に磁場を発生させ、かつ、磁場の方向を反転させる磁場発生手段と、 少なくとも前記加熱手段による加熱処理の間、前記磁場発生手段を作動させる制御手段と、 を備えることを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/38
FI (2件)：
H01L21/30 568 ,  G03F7/38 511
Fターム (9件)：
2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096FA01 ,  2H096GB03 ,  2H096GB10 ,  5F046JA22 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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