特許
J-GLOBAL ID：200903098347822065
フォトマスクブランクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-007096
公開番号（公開出願番号）：特開2006-195200
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【解決手段】 透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、ターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を5W/cm2以上として成膜するフォトマスクブランクの製造方法。【効果】 基板上にクロム系材料膜を形成する場合に、スパッタリングにより膜応力の極めて低いクロム系材料膜を形成することができることから、クロム系材料膜を成膜してフォトマスクブランクを製造する前後、及びそのクロム系材料膜を加工して膜パターンを形成する前後における膜応力の変化により、反りが大きく変化することを避けることができ、精度の高い露光が可能なフォトマスクを与えるフォトマスクブランクを安定して製造することができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、ターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を5W/cm2以上として成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
2H095BC08
, 2H095BC13
, 2H095BC24
, 4K029AA08
, 4K029BA43
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029DC34
, 4K029EA01
, 4K029EA09
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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