FeRAM素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148620
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026287
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】工程を単純化し、セルプレートノードのプラズマ露出時間を低減できる、FeRAMの製造方法を提供する。【解決手段】 FeRAM素子の製造方法は半導体基板、トランジスタ及び素子分離領域からなる活性領域210を準備し、該活性領域上に第1絶縁膜212を形成する第1ステップ、第1絶縁膜上に強誘電体キャパシタ構造を形成する第2ステップ、キャパシタ構造及び第1絶縁膜上に第2絶縁膜222を形成する第3ステップ、フォトレジスト膜を形成し該フォトレジスト膜をパターンニングしてフォトレジストパターン、第1開口部及び第2開口部を形成する第4ステップ、第2絶縁膜222をパターンニングしてストレージノードコンタクト孔及びセルプレートコンタクト孔を形成する第5ステップ、及び第2絶縁膜222上部と前記コンタクト孔内部に金属配線226を形成する第6ステップを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板、トランジスタ及び素子分離領域からなる活性領域を準備し、該活性領域上に第1絶縁膜を形成する第1ステップ、前記第1絶縁膜上に形成されたバッファ膜、前記バッファ膜上に形成される下部電極、前記下部電極上に形成されるキャパシタ薄膜、及び前記キャパシタ薄膜上に形成される上部電極からなる強誘電体キャパシタ構造を形成する第2ステップ、強誘電体キャパシタ構造及び前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する第3ステップ、第2絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、次いで該フォトレジスト膜をパターンニングしてフォトレジストパターン、第1開口部及び第2開口部を形成する第4ステップ、前記第2絶縁膜をパターンニングしてストレージノードコンタクト孔及びセルプレートコンタクト孔を形成する第5ステップ、及び前記第2絶縁膜上部、前記ストレージノードコンタクト孔内部及び前記セルプレートコンタクト孔内部に金属配線を形成する第6ステップを備えていることを特徴とするFeRAM素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 21/3065 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 621 Z , H01L 21/302 J

Fターム (21件)：

5F004AA06 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA01 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004EB01 , 5F083AD43 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083GA28 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083PR03 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (9件)

強誘電体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-275956 出願人：ソニー株式会社
強誘電体容量および強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-156983 出願人：日本電気株式会社
強誘電体キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-163810 出願人：株式会社神戸製鋼所

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