めっき液、半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：渡邉勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341051
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142427
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】電気抵抗率を大きくすることなく、エレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性をより高めた配線を形成したり、配線の表面を選択的に覆って保護できるようにした非磁性体からなる保護膜を形成できるようにする。【解決手段】銅イオン、銅と非固溶の金属からなる銅合金を得る金属の金属イオン、錯化剤、及びアルカリ金属を含まない還元剤を有するめっき液を使用しためっきを施して、埋込み配線自体及び/または該配線の表面を覆って保護する保護膜を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

銅イオン、銅と非固溶の金属からなる銅合金を得る金属の金属イオン、錯化剤、及びアルカリ金属を含まない還元剤を有することを特徴とするめっき液。

IPC (5件)：

H01L 21/288 , C23C 18/16 , C23C 18/40 , C23C 18/48 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/288 M , C23C 18/16 B , C23C 18/40 , C23C 18/48 , H01L 21/90 A

Fターム (46件)：

4K022AA05 , 4K022BA01 , 4K022BA06 , 4K022BA08 , 4K022BA21 , 4K022DA01 , 4K022DB03 , 4K022DB04 , 4K022DB19 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH02 , 4M104HH16 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ32 , 5F033KK00 , 5F033LL02 , 5F033LL09 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ48 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX08

引用特許：

審査官引用 (5件)

無電解めっき液
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-131534 出願人：松下電器産業株式会社
無電解メッキ浴および導電膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-345380 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の配線形成に用いる無電解めっき浴及び半導体装置の配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-149873 出願人：松下電器産業株式会社

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