特許
J-GLOBAL ID：200903098388096360

シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハならびにこれらの製造方法

発明者：
曲 偉峰

曲 偉峰 について

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速水 善範

速水 善範 について

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竹野 博

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出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286054
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100631
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 デバイス製造熱処理を行なっても確実に高抵抗率を維持できるシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】 表面近傍のDZ層とバルク部の酸素析出物層とを有するシリコンウエーハであって、前記DZ層、前記酸素析出物層、および前記DZ層と前記酸素析出物層との遷移領域の格子間酸素濃度がいずれも8ppma以下であるシリコンウエーハ。およびこのシリコンウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウエーハ。ならびにチョクラルスキー法により初期格子間酸素濃度が10〜25ppmaであるシリコン単結晶棒を育成して、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに950〜1050°Cで2〜5時間の第1熱処理と、450〜550°Cで4〜10時間の第2熱処理と、750〜850°Cで2〜8時間の第3熱処理と、950〜1100°Cで8〜24時間の第4熱処理を行なうシリコンウエーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
表面近傍のDZ層とバルク部の酸素析出物層とを有するシリコンウエーハであって、前記DZ層、前記酸素析出物層、および前記DZ層と前記酸素析出物層との遷移領域の格子間酸素濃度がいずれも8ppma以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/324
FI (3件)：
H01L 21/322 Y ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/324 X
Fターム (10件)：
5F053AA12 ,  5F053AA14 ,  5F053BB04 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053PP03 ,  5F053RR03
引用特許：
審査官引用 (20件)
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