高耐圧半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170465
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352064
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】単純なパターンの抵抗性フィールドプレートの耐圧構造で、湾曲部での電位分布を均一化し、安定した耐圧を確保できる半導体装置を提供すること。【解決手段】n- 層1の表面層にp拡散層2を形成し、p拡散層2上とn-層1上にフィールド酸化膜3を形成する。p拡散層2上とフィールド酸化膜3上にフィールドプレート電極4を形成し、n- 層1上とフィールド酸化膜3上にエンドプレート電極5を形成する。フィールドプレート電極4とエンドプレート電極5とはそれぞれ対向し、その間隔は一定である。フィールドプレート電極4上とエンドプレート電極5上およびこれらの電極4、5に挟まれたフィールド酸化膜3上に高抵抗導電膜6を形成する。この高抵抗導電膜6の形成に当たっては、両電極4、5が湾曲する箇所(湾曲部D)では、エンドプレート電極5上と、フィールド酸化膜3上に選択的に絶縁膜7を形成し、この絶縁膜7を介して前記高抵抗導電膜6を形成する(同図(c))。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成される抵抗性フィールドプレートの耐圧構造で、該半導体基板の表面と交わるpn接合の上方に形成されるフィールドプレート電極である第1電極と、第1電極と対向して配置されるエンドプレート電極である第2電極と、該第1電極および該第2電極に接し、該第1電極と第2電極の間に形成される抵抗性導電膜とを有す高耐圧半導体装置において、対向する前記第1電極端と第2電極端の周辺長さが異なる湾曲部で、周辺長が長い第2電極および該第2電極端と前記抵抗性導電膜とが選択的に接触しない箇所を設けることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/91 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105149 出願人：富士電機株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-252319 出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-342071 出願人：株式会社日立製作所

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