特許
J-GLOBAL ID：200903098479801326

熱電変換材料、熱電変換素子およびその製造方法

発明者：
佐藤 新治

佐藤 新治 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170328
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353523
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 熱電変換素子の高集積化を図ると共に、放熱効率の向上を図る。【解決手段】 絶縁物中に形成した孔の中に熱電変換材料が埋め込まれていることを特徴とし、絶縁性基板1上に第1の電極2を形成し、その上に第1の絶縁物層3を形成し、第1の絶縁物層に第1の電極に通じる第1の接続孔4を形成してN型熱電変換材料5を充填し、次いで第1の絶縁物層およびN型熱電変換材料上に第2の絶縁物層6を形成し、第2の絶縁物層に第1の電極に通じる第2の接続孔7を形成してP型熱電変換材料8を充填し、第2の絶縁物層をN型熱電変換材料及びP型熱電変換材料が露出するまでエッチバックした後、第2の絶縁物層及び両熱電変換材料上に第2の電極9を形成して熱電変換素子を作製する。
請求項（抜粋）：
絶縁物中に形成した孔の中に熱電変換材料が埋め込まれていることを特徴とする熱電変換素子。
IPC (6件)：
H01L 35/32 ,  F25B 21/02 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00
FI (6件)：
H01L 35/32 A ,  F25B 21/02 A ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A
引用特許：
審査官引用 (6件)
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