半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197843
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017688
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、低誘電体層のSiO2の形成を抑制し、高容量化と高耐電圧を有する半導体装置及び製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、MIS(Metal Insulator Semiconductor)型半導体装置において、Siと一種以上の金属元素からなる混合層を形成し、前記混合層を酸化処理しゲート絶縁膜を形成する製造方法により、Si単結晶基板とゲート絶縁膜間に低誘電率なSiO2形成を抑制した高容量なMISトランジスタ素子を作製することができるものである。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上にゲート絶縁膜を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜はSiと他の金属元素とからなる混合層の酸化処理膜からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/316 C , H01L 21/316 Y , H01L 29/78 301 G

Fターム (40件)：

5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF62 , 5F058BJ04 , 5F140AA19 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BD04 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG32 , 5F140BG33 , 5F140BG38 , 5F140BG42 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK30 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (5件)

高誘電率シリケート・ゲート誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242453 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-041343 出願人：株式会社東芝
半導体デバイスを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-318314 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

全件表示

前のページに戻る