プラズマ発生装置並びにこの装置を利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び硬質薄膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木田茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276119
公開番号（公開出願番号）：特開2002-085963
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月26日
要約：

【要約】【課題】RF電力の吸収効率の低下を防止でき、SP3構造を多く含んだBN膜のような緻密で硬質の膜を形成できる方法及び装置を提供する。【解決手段】高真空状態にでき、内部に基板を配置した成膜室に隣接してプラズマ発生室を設け、プラズマ発生室の内部にはプラズマ発生用の高周波アンテナ及び緻密な硬質薄膜を構成する材料のターゲットをそれぞれ配置し、高密度のプラズマを発生し、ターゲットからスパッタされたターゲット材の原子を電離した状態で基板へ導入するように構成される。

請求項（抜粋）：

【請求項1】高周波放電による誘導結合方式のプラズマ発生装置において、高周波電力を印加して誘導電界を発生させる高周波アンテナをプラズマ発生室である真空容器の内部に配置し、高周波アンテナの内側に絶縁体製の放電管を配置し、プラズマ発生室の内面と放電管の外側とで囲まれ且つ高周波アンテナの導体表面のすべてが覆われる真空状態の領域に、誘電体物質を充填したことを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (4件)：

B01J 19/08 , C23C 14/06 , C23C 14/32 , H05H 1/46

FI (6件)：

B01J 19/08 H , C23C 14/06 J , C23C 14/06 F , C23C 14/06 K , C23C 14/32 B , H05H 1/46 L

Fターム (33件)：

4G075AA24 , 4G075AA52 , 4G075BA01 , 4G075BA02 , 4G075BC02 , 4G075BD14 , 4G075CA25 , 4G075CA42 , 4G075CA47 , 4G075CA65 , 4G075DA01 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075EB41 , 4G075EC13 , 4G075EE02 , 4G075EE04 , 4G075EE05 , 4G075EE31 , 4G075FB04 , 4G075FB06 , 4G075FC06 , 4G075FC09 , 4G075FC15 , 4K029BA34 , 4K029BA54 , 4K029BA59 , 4K029BD03 , 4K029BD04 , 4K029CA03 , 4K029CA04 , 4K029DD02 , 4K029EA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

絶縁膜用プラズマ成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-271387 出願人：アネルバ株式会社
高真空・高速イオン処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199962 出願人：日本真空技術株式会社
イオン化金属付着層を用いるアルミニウムホール充填
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203776 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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