特許
J-GLOBAL ID：200903098534929930

不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者：
大谷 敏晴

大谷 敏晴 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234169
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074385
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 LOCOS酸化膜から成る素子分離膜形成技術の改善を図ることで、データの書き込み効率、消去効率及び読み出し電流のバラツキを低減する。【解決手段】 一導電型のシリコン基板上に形成される表面に凹凸のない素子分離領域2と、該素子分離領域2以外の活性領域に形成され、かつ当該素子分離領域2上にその端部が配置されるフローティングゲート4と、該フローティングゲート4を被覆する絶縁膜と、該絶縁膜を介して前記フローティングゲート4の一端部上に重なるように形成されるコントロールゲート6と、前記フローティングゲート4及び前記コントロールゲート6に隣接する前記シリコン基板の表面に形成される逆導電型の拡散領域とを備えたものである。
請求項（抜粋）：
一導電型のシリコン基板上に形成される素子分離領域と、該素子分離領域以外の活性領域に形成され、かつ当該素子分離領域上にその端部が配置されるフローティングゲートと、該フローティングゲートを被覆する絶縁膜と、該絶縁膜を介して前記フローティングゲートの一端部上に重なるように形成されるコントロールゲートと、前記フローティングゲート及び前記コントロールゲートに隣接する前記半導体基板の表面に形成される逆導電型の拡散領域とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記フローティングゲートの端部が配置される素子分離領域の表面が凹凸のない均一な状態に形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115
FI (3件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 21/94 A ,  H01L 27/10 434
引用特許：
審査官引用 (4件)
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