特許
J-GLOBAL ID：200903098583599369

SOI基板、素子基板、電気光学装置及び電子機器、並びにSOI基板の製造方法、素子基板の製造方法

発明者：
安川 昌宏

安川 昌宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-365714
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170942
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 支持基板に含有された不純物、あるいは支持基板と単結晶シリコン基板との貼り合わせ面に吸着した不純物が単結晶シリコン層側に拡散することを完全に防止することができるSOI基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板202A表面を熱酸化して第1の酸化シリコン膜203Bを形成し、次いで、単結晶シリコン基板202Aの表面を窒化若しくは酸窒化して窒化シリコン膜若しくは窒化酸化シリコン膜204を形成し、次いで、単結晶シリコン基板202Aの表面を熱酸化して第2の酸化シリコン膜203Aを形成した後、第1の酸化シリコン膜203B表面を貼り合わせ面として、単結晶シリコン基板202Aと支持基板201との貼り合わせを行う。最後に、支持基板201と貼り合わせた単結晶シリコン基板202Aを薄膜化して、単結晶シリコン層202を形成することによりSOI基板200が製造される。
請求項（抜粋）：
支持基板の一方の表面上に単結晶シリコン層を具備するSOI基板であって、前記支持基板と前記単結晶シリコン層との間に、絶縁膜の単層又は積層構造からなる絶縁部が設けられ、該絶縁部が少なくとも窒化シリコン膜若しくは窒化酸化シリコン膜を具備することを特徴とするSOI基板。
IPC (5件)：
H01L 27/12 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D
Fターム (59件)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB51 ,  2H092KA03 ,  2H092KB25 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA12 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ17
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM