特許
J-GLOBAL ID：200903098652505126

レジスト現像方法及びレジスト現像装置

発明者：
石井 哲好

石井 哲好 について

, 
内山 真吾

内山 真吾 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-119888
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327688
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】超LSI等の半導体デバイスの製造において、高精度に微細パタンを形成することを可能とする。【解決手段】基板1上にレジスト膜2の微細パタンを形成するレジスト現像装置であって、レジスト膜2は、化学増幅系レジストで形成され、レジスト膜を露光する露光工程の後で、かつ現像工程の前に、基板1上のレジスト膜2に赤外線を照射する赤外線照射機構部8を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト膜の微細パタンを形成するレジスト現像方法において、 前記レジスト膜は化学増幅系レジストで形成され、 前記レジスト膜を露光する露光工程の後で、かつ現像工程の前に、前記基板上の前記レジスト膜に赤外線を照射する工程を有することを特徴とするレジスト現像方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38
FI (4件)：
H01L21/30 569F ,  G03F7/30 501 ,  G03F7/38 511 ,  H01L21/30 568
Fターム (5件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096FA01 ,  5F046LA14 ,  5F046LA19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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