特許
J-GLOBAL ID：200903098738862851

データ保持装置

発明者：
西村 清

西村 清 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300289
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331482
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 高速応答が可能で、かつ、データ保持のための電源が不要なデータ保持装置を提供する。【解決手段】 メモリセルMC11は、相手のトランジスタを介して相互に正帰還がかかるよう構成された一対の記憶用トランジスタMT1,MT2を備えている。該トランジスタは、ともにMFMIS構造のトランジスタであり、データ書き込み時には、該トランジスタのフローティングゲート電極FGに対し、書込み用セレクトトランジスタ対WTP11を介して、ビットライン対BLP1から、直接的に電圧を印加する。したがって、書込み用セレクトトランジスタ対WTP11がONになると、ほとんど同時に、記憶用トランジスタMT1,MT2は、ビットライン対BLP1の電圧に応じたON/OFF状態に切換わる。しかも、この状態は、該トランジスタを構成する強誘電体層の分極状態として、不揮発的に保持される。
請求項（抜粋）：
下記の(A)ないし(D)、(A)ソース領域およびドレイン領域、(B)ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル形成領域、(C)チャネル形成領域の上に配置されたゲート絶縁膜、(D)ゲート絶縁膜の上に配置されたコントロールゲート、を有するトランジスタを備えた記憶素子であって、正帰還をかけて当該トランジスタの継断状態を保持することで当該継断状態に対応させてデータを保持するよう構成した記憶素子、を備えたデータ保持装置において、当該トランジスタは、さらに下記の(E)、(E)ゲート絶縁膜とコントロールゲートとの間にこの順に配置されたフローティングゲートおよび強誘電体層、を備え、フローティングゲートに直接的に電圧を印加し得るよう構成した強誘電体トランジスタであること、を特徴とするデータ保持装置。
IPC (3件)：
G11C 11/41 ,  G11C 11/22 ,  G11C 16/04
FI (3件)：
G11C 11/40 Z ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/00 621 Z
Fターム (14件)：
5B015HH03 ,  5B015HH04 ,  5B015JJ07 ,  5B015JJ43 ,  5B015KA10 ,  5B015KB92 ,  5B015QQ17 ,  5B025AA03 ,  5B025AB03 ,  5B025AC03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE05 ,  5B025AE06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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