特許
J-GLOBAL ID：200903098971924131

GaN基板作製方法

発明者：
八百 隆文

八百 隆文 について

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鈴木 拓馬

鈴木 拓馬 について

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高 恒柱

高 恒柱 について

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アグス セティアワン

アグス セティアワン について


出願人/特許権者：
株式会社東北テクノアーチ

株式会社東北テクノアーチ について


代理人 (6件)： 重信 和男 ,  加古 進 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  日高 一樹 ,  渡邉 知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-075480
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284831
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】極性を制御してGaN基板を作製する方法の提供【解決手段】高品質基板110上に、MgOのバッファ層120を形成し、アニール処理をした後、ZnO単結晶膜130を形成する。その後、ZnO膜130の表面の初期窒化を防ぐ処理する(e)ことで、その上に単結晶膜を成長させるGaN140の結晶極性をGa極性とする(f)。GaNの単結晶膜140を成長させた後、ZnOを溶かしてGaN単結晶基板を剥離する(g)。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
高品質基板上に、ZnO膜を成長させ、 ZnO膜上に極性制御してGaN層を成長させ、 ZnO膜を溶解させる ことで、GaN基板を作製することを特徴とするGaN基板作製方法。
IPC (1件)：
C30B29/38
FI (1件)：
C30B29/38 D
Fターム (11件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FH09 ,  4G077FJ03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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