特許
J-GLOBAL ID：200903099007993333

無電解メッキ方法および無電解メッキ装置

発明者：
丸茂 吉典

丸茂 吉典 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293913
公開番号（公開出願番号）：特開2004-124235
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】形成されるメッキ膜の均一性の向上を図れる無電解メッキ方法を提供する。【解決手段】無電解メッキ液を供給し、反応促進条件を付与することでメッキ膜の形成を開始させる。無電解メッキ液を供給した段階ではメッキ膜の形成が行われないか、行われてもその膜形成の速度が小さい。このため、メッキ膜の本格的な形成が行われる以前に無電解メッキ液を基板上に行き渡らせて、無電解メッキ膜の均一性を向上できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に無電解メッキ液を供給するメッキ液供給ステップと、 前記メッキ液供給ステップで基板上に供給された無電解メッキ液に反応を促進する反応促進条件を付与する反応促進条件付与ステップと、 前記反応促進条件付与ステップで反応促進条件が付与された無電解メッキ液によって前記基板上にメッキ膜を形成するメッキ膜形成ステップと、 を具備することを特徴とする無電解メッキ方法。
IPC (2件)：
C23C18/16 ,  C23C18/31
FI (2件)：
C23C18/16 B ,  C23C18/31 Z
Fターム (9件)：
4K022AA05 ,  4K022BA08 ,  4K022CA03 ,  4K022CA23 ,  4K022DB06 ,  4K022DB24 ,  4K022DB26 ,  4K022EA02 ,  4K022EA04
引用特許：
審査官引用 (12件)
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