特許
J-GLOBAL ID:200903099097584372
二酸化錫膜の製造方法および太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 和郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-206575
公開番号(公開出願番号):特開2000-044238
出願日: 1998年07月22日
公開日(公表日): 2000年02月15日
要約:
【要約】【課題】 均一な膜質で、透明性、導電性および耐候性に優れ、大面積化可能なの二酸化錫膜を安価に製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 錫化合物とフッ素化合物またはアンチモン化合物の混合溶液を、超音波振動あるいはスプレー噴射などにより霧化させ、前記霧化微粒子をあらかじめ加熱した膜形成用基板の近傍で熱分解させて基板上に二酸化錫膜を形成させる。さらに、このようにして得られる膜を透明導電性膜として用いてCdS/CdTe太陽電池などの各種太陽電池を構成する。
請求項(抜粋):
錫化合物とフッ素化合物またはアンチモン化合物とを溶解した溶液を霧化して微粒子化する工程、および前記微粒子を加熱された基板に接触させ、前記基板上に二酸化錫膜を形成する工程を有することを特徴とする二酸化錫膜の製造方法。
IPC (3件):
C01G 19/02
, H01L 21/203
, H01L 31/04
FI (3件):
C01G 19/02 C
, H01L 21/203 Z
, H01L 31/04 E
Fターム (22件):
5F051AA09
, 5F051AA10
, 5F051BA04
, 5F051BA05
, 5F051CB11
, 5F051CB27
, 5F051FA03
, 5F051FA08
, 5F051FA24
, 5F051GA03
, 5F103AA01
, 5F103BB01
, 5F103BB27
, 5F103DD21
, 5F103DD30
, 5F103HH04
, 5F103KK10
, 5F103LL20
, 5F103NN01
, 5F103PP11
, 5F103RR03
, 5F103RR08
引用特許:
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