特許
J-GLOBAL ID：200903099151490907
多接合太陽電池における変成層
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-041930
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324563
出願日： 2007年02月22日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】変成層を有する多接合太陽電池を含む集積半導体構造を提供する。【解決手段】半導体材料のエピタキシャル成長のための第1の基板を準備する段階と、基板上に第1のバンドギャップを有する第1の太陽電池サブセルを形成する段階と、第1のサブセルの上に第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の太陽電池サブセルを形成する段階と、第2のサブセルの上に第2のバンドギャップよりも大きい第3のバンドギャップを有する漸変中間層を形成する段階と、第2のバンドギャップよりも小さい第4のバンドギャップを有する第3の太陽電池サブセルを形成し、そのために第3のサブセルが第2のサブセルに対して格子不整合であるようにする段階とを含む、上部サブセル、中間サブセル、及び下部サブセルを含む多接合太陽電池を形成する方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
上部サブセル、中間サブセル、及び下部サブセルを含む多接合太陽電池を形成する方法であって、
半導体材料のエピタキシャル成長のための第1の基板を準備する段階と、
前記基板上に第1のバンドギャップを有する第1の太陽電池サブセルを形成する段階と、
前記第1のサブセルの上に前記第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の太陽電池サブセルを形成する段階と、
前記第2のサブセルの上に前記第2のバンドギャップよりも大きい第3のバンドギャップを有する漸変中間層を形成する段階と、
前記漸変中間層の上に前記第2のバンドギャップよりも小さい第4のバンドギャップを有する第3の太陽電池サブセルを形成し、そのために該第3のサブセルが前記第2のサブセルに対して格子不整合であるようにする段階と、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F051AA08
, 5F051DA19
, 5F051GA04
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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特開平2-100379
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半導体混晶
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-149865
出願人：日本電信電話株式会社
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多接合型太陽電池およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-115360
出願人：シャープ株式会社
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引用文献：
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