電界電子放出装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：池田治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006888
公開番号（公開出願番号）：特開2002-216615
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】高密度に配向させられたナノチューブにより構成されたエミッタのエミッション開始電圧を低くし得る電界電子放出装置の製造方法を提供する。【解決手段】低真空熱処理工程70では、基板が6(Pa)程度の酸素分圧の高い雰囲気下において1700(°C)程度で加熱されるため、珪素除去層の生成速度より遅い速度でナノチューブがその先端から酸化させられ、基板表面においてその先端が疎に分布する。一方、高真空熱処理工程72では、基板が10-2(Pa)程度の酸素分圧の低い雰囲気下において1700(°C)の温度で加熱されるため、珪素除去層の上層部はナノチューブ構造に保たれるが、下層部は表面に沿った方向にグラファイト等が連なり且つそのナノチューブに原子レベルで連続する導電性の炭素層となる。そのため、高真空熱処理だけを施した従来に比較してエミッション開始電圧が低下すると共に全面で一様な電子放出効率が得られる。

請求項（抜粋）：

気密空間内において互いに対向して配置されたエミッタおよび陽極間に電圧を印加することにより、そのエミッタから電子を放出させる形式の電界電子放出装置の製造方法であって、共有結合性炭化物から成る基板を0.1乃至10(Pa)の範囲内の真空下において1650乃至1800(°C)の範囲内の温度で1時間以上加熱する低真空熱処理工程と、前記基板を10-4乃至0.1(Pa)の範囲内の真空下において1550乃至1800(°C)の範囲内の温度で1時間以上加熱する高真空熱処理工程とを、含むことを特徴とする電界電子放出装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 , C01B 31/02 101

FI (2件)：

H01J 9/02 B , C01B 31/02 101 F

Fターム (6件)：

4G046CA00 , 4G046CB09 , 4G046CC02 , 4G046CC03 , 4G046CC06 , 4G046CC09

引用特許：

審査官引用 (6件)

分離可動框の補強構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-119022 出願人：不二サッシ株式会社
電界電子放出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-265044 出願人：株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
電界電子放出装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-058862 出願人：株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター

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