特許
J-GLOBAL ID：200903099198066763

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
原田 真

原田 真 について

, 
増田 健良

増田 健良 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 川嶋 正章 ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305410
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115875
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】実用化に適した高機能のMISFETやダイオードなどの炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】4H-SiC基板10の上にエピタキシャル成長層11を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるpウェル領域12,ソース領域13,p+コンタクト領域15を形成する。その後、pウェル領域12,ソース領域13,p+コンタクト領域15の上にカーボンキャップ17を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ17を除去してから、CMPにより基板の最表面を、平均表面粗さ0.1nm〜0.5nm程度まで研磨する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 基板上に、炭化珪素からなるエピタキシャル成長層を形成する工程(a)と、 前記エピタキシャル成長層の表面部の一部に、ドーパントのイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程(b)と、 前記工程(b)の後で、少なくとも前記イオン注入層の上に、カーボンを主成分として含むアニールキャップを形成する工程(c)と、 前記アニールキャップを付けた状態で、前記イオン注入層内のドーパントを活性化するためのアニールを行う工程(d)と、 前記工程(d)の後で、前記アニールキャップを除去した後、CMPにより、イオン注入層を含むエピタキシャル層の表面を研磨する工程(e)と を含む炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/265
FI (7件)：
H01L29/78 658A ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 F ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/265 602A
Fターム (15件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD79 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG07 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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