特許
J-GLOBAL ID：200903099287539446

MRAMリファレンスセルサブアレイおよびその製造方法、MRAMアレイ、MRAMセルサブアレイおよびその製造方法、MRAMセルサブアレイ書込装置、MRAMセルサブアレイの書込方法

発明者：
楊 緒▲鎧▼

楊 緒▲鎧▼ について

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王 伯剛

王 伯剛 について

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石 西▲増▼

石 西▲増▼ について


出願人/特許権者：
マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド

マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド について

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アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド

アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314868
公開番号（公開出願番号）：特開2007-141440
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】より安定したデータの読出動作を行うことのできるMRAMアレイを提供する。【解決手段】行方向および列方向に並んだ複数のリファレンスセル205と、ビット線207,208からなるビット線対と、ビット線207,208同士を繋ぐ連結部270とを有するリファレンスセルサブアレイ200を備える。ビット線207に沿って並ぶ第1の列のリファレンスセル205は、ビット線208に沿って並ぶ第2のリファレンスセル205と並列接続されており、同一の行に位置する第1および第2の列のリファレンスセル205は、互いに異なる磁化状態を有している。これにより、複数のリファレンスセル205に基づいた安定したリファレンス電流を得ることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
MRAMデータセルサブアレイおよびセンスアンプを複数備えたMRAMアレイに用いられ、前記センスアンプに対してリファレンス電流を供給するMRAMリファレンスセルサブアレイであって、 行方向および列方向に並んだ複数のMRAMリファレンスセルと、 前記列方向に延在し、かつ、前記列方向に並んだ前記複数のMRAMリファレンスセルに含まれるフリー層とそれぞれ接続されると共に隣り合うように配置された第1および第2のビット線からなるビット線対と、 前記ビット線対における第1および第2のビット線を相互に繋ぐ連結部と を備え、 前記第1のビット線に沿って並ぶ第1の列のMRAMリファレンスセルは、前記第2のビット線に沿って並ぶ第2のMRAMリファレンスセルと並列接続されており、 同一の行に位置する前記第1および第2の列のMRAMリファレンスセルは、互いに異なる磁化状態を有している ことを特徴とするMRAMリファレンスセルサブアレイ。
IPC (4件)：
G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (4件)：
G11C11/15 150 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 140
Fターム (18件)：
4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119DD32 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  4M119GG02 ,  4M119GG03 ,  4M119GG05 ,  4M119HH05 ,  4M119HH13 ,  5F092AA05 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB33 ,  5F092BC04
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 米国特許第6816403号明細書
  • 米国特許第6845037号明細書
  • 米国特許第6711068号明細書
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審査官引用 (7件)
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