特許
J-GLOBAL ID:200903099314648058

電圧発生回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-419716
公開番号(公開出願番号):特開2005-006489
出願日: 2003年12月17日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】 無効電流を生じさせることなく効率的に電荷を使用して低消費電力で所望のレベルの内部電圧を発生する。【解決手段】 基準電圧ノード(GG)と第1のノード(ND1)の間に第1のトランジスタ(PQ1)を配置し、そのゲートを第2のノード(ND2)に接続する。第2のノードと基準電圧ノードの間に第2のトランジスタ(PQ2)を配置し、そのゲートを第1のノードに接続する。第1および第2のノードへ、それぞれ第1および第2の制御信号(φP,φCP)を受ける容量素子(C1,C2)を介して電荷を供給する。さらに、第2のノードと出力ノードの間に第3のトランジスタ(NQ1)を配置し、そのゲートノード(ND3)を第3の容量素子(C3)を介して第3の制御信号φCTに結合する。また、この出力ノードと第3のトランジスタのゲートノードの間に第4のトランジスタ(NQ2)を接続し、そのゲートを第2のノードに接続する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
所定の電圧が印加される基準電圧ノードと第1の内部ノードとの間に接続されかつその制御電極が第2の内部ノードに接続される第1導電型の第1のトランジスタ、 前記基準電圧ノードと前記第2の内部ノードとの間に接続されかつその制御電極が前記第1の内部ノードに接続される第1導電型の第2のトランジスタ、 プリチャージ用の第1の制御信号を受ける第1の入力ノードと前記第1の内部ノードとの間に接続される第1の容量素子、 電荷蓄積用の第2の制御信号を受ける第2の入力ノードと前記第2の内部ノードとの間に接続される第2の容量素子、 前記第2の内部ノードと出力ノードとの間に接続されかつその制御電極が第3の内部ノードに接続される第2導電型の第3のトランジスタ、 前記第3の内部ノードと電荷転送用の第3の制御信号を受ける第3の入力ノードとの間に接続される第3の容量素子、および 前記出力ノードと前記第3の内部ノードとの間に接続されかつその制御電極が前記第2の内部ノードに接続される第2導電型の第4のトランジスタを備える、電圧発生回路。
IPC (4件):
H02M3/07 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K19/00
FI (3件):
H02M3/07 ,  H03K19/00 A ,  H01L27/04 G
Fターム (28件):
5F038BG05 ,  5F038BG06 ,  5F038BG08 ,  5F038BG09 ,  5F038DF01 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ20 ,  5H730AA14 ,  5H730AS04 ,  5H730BB02 ,  5H730BB05 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730DD32 ,  5H730FG10 ,  5J056AA37 ,  5J056BB17 ,  5J056CC04 ,  5J056CC05 ,  5J056CC16 ,  5J056CC30 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056DD51 ,  5J056FF01 ,  5J056FF07 ,  5J056GG06 ,  5J056KK01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特開平4ー372792号公報
審査官引用 (6件)
  • 電子チャージ・ポンプ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-033389   出願人:イーエムマイクロエレクトロニック-マリンソシエテアノニム
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-126002   出願人:株式会社東芝
  • 電圧昇圧回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-312566   出願人:日本鋼管株式会社, 旺宏電子股ふん有限公司
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