膜厚測定方法、研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法、並びに薄膜磁気ヘッド形成用基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森岡正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372214
公開番号（公開出願番号）：特開2000-193423
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は、基板上に形成された素子形成層の膜厚を測定する膜厚測定方法に関し、研磨処理における研磨対象膜の残膜厚を高精度で測定できる膜厚測定方法を提供することを目的とする。【解決手段】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部シールド層16と共にダミー層54を形成した後アルミナで被覆し、CMPにより表面研磨して平坦化層24を形成する。次に、下部シールド層16上に上部シールド層32を形成してアルミナで埋め込んで平坦化層38を形成する。非接触光学式膜厚測定装置でダミー層54上の埋め込み層38の膜厚を計測し、当該膜厚に基づいて上部シールド層32の膜厚を測定する。

請求項（抜粋）：

素子の一部を構成する素子形成層と、前記素子形成層より薄い所定の膜厚を有し素子構成に寄与しない少なくとも1つの膜厚測定用のダミー層とを基板上に形成し、前記素子形成層及び前記ダミー層を所定の埋め込み材料で埋め込んで被覆した後、前記素子形成層表面が埋め込み層から露出するまで表面研磨して平坦化した平坦化層を形成し、前記ダミー層上の前記埋め込み層の膜厚を計測し、前記膜厚に基づいて前記素子形成層の膜厚を測定することを特徴とする膜厚測定方法。

IPC (3件)：

G01B 11/06 , B24B 37/04 , G11B 5/31

FI (3件)：

G01B 11/06 G , B24B 37/04 K , G11B 5/31 M

Fターム (21件)：

2F065AA30 , 2F065BB03 , 2F065BB17 , 2F065BB25 , 2F065CC25 , 2F065CC31 , 2F065DD03 , 2F065FF51 , 2F065HH04 , 3C058AA07 , 3C058AC02 , 3C058BA07 , 3C058BB09 , 3C058BC02 , 3C058BC03 , 3C058CB01 , 3C058DA12 , 3C058DA16 , 5D033BA71 , 5D033DA01 , 5D033DA02

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜磁気ヘッドにおける下層コアの膜厚測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-012833 出願人：ソニー株式会社
ウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-316772 出願人：富士電気化学株式会社
特開昭64-076511

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