特許
J-GLOBAL ID：200903099608150686

半導体装置及びその製造方法

発明者：
竹部 千晶

竹部 千晶 について

, 
藤作 実

藤作 実 について

, 
渡瀬 和美

渡瀬 和美 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415829
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175327
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 ウェハレベルCSPのシリコン基板の露出部からの光照射による電気的特性の変動を防ぐことができる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板11の第2絶縁層21が形成されていない裏面及び側面に遮光性の被膜26を形成して、シリコン基板11に形成された半導体素子に光が入らないよう遮光する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の半導体素子が形成された一表面に外部と電気的接続を行うための素子電極を有し、前記素子電極に開口部を形成し全面に第1絶縁層が形成され、前記第1絶縁層の上に選択的に前記素子電極に一端が接続された金属配線が形成され、前記金属配線の他端を除いた前記金属配線と前記第1絶縁層とを第2絶縁層で覆って、前記金属配線の他端に外部金属端子を形成した半導体装置において、 前記基板の非素子形成表面および側面に遮光性の被膜を備えた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/29 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31
FI (2件)：
H01L23/30 E ,  H01L23/12 501P
Fターム (5件)：
4M109AA04 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109CA26 ,  4M109EE13
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-094919   出願人：セイコーエプソン株式会社
審査官引用 (4件)
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