特許
J-GLOBAL ID：200903099720809046

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
池原 正博

池原 正博 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122623
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315816
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の良好な半導体発光素子を、ウエハの状態から効率よく製造する。【解決手段】 ウエハの状態で表面側に電極25,26が形成される半導体発光素子24は、表面実装基板21上に横置型の状態で実装される。ウエハ状態から半導体発光素子24をダイシングによって切断する際にチップ天面29を最後に切断する。チップ天面29を切断する際には、チップ底面30や他の側面はすでに切断されているので、粘着シートなどで半導体発光素子24を保持する面積が小さくなり、ダイシングブレードで切断する際の表面の粗度が大きくなる。チップ天面29の表面粗度が大きいので、PN接合面27から発生される発光光28が、チップ天面29の内面で全反射をしないで外部に取出される確率が大きくなり、半導体発光素子24のチップ内部での減衰を小さくして、光度を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
ウエハ状の半導体材料に複数個同時に形成され、機械的な切断によって分離され、予め定める切断面の1つから発光出力が取出される半導体発光素子において、切断は、発光出力が取出される切断面に垂直および平行な方向にそれぞれ行われ、直方体の形状を有し、発光出力が取出される切断面の粗度は、他の切断面よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/301
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/78 A
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA07 ,  5F041CA14 ,  5F041CA37 ,  5F041CA38 ,  5F041CA76 ,  5F041DA02 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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