特許
J-GLOBAL ID:200903071383346240
発光ダイオード
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-217339
公開番号(公開出願番号):特開平10-065211
出願日: 1996年08月19日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】 光の取出し効率の向上した高出力の発光ダイオードを工業的有利に提供する。【解決手段】 GaP基板上にGaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>(0.45<x<1)エピタキシャsル層を有してなるPN接合型発光ダイオードであって、GaP基板が上面となる構造とする。
請求項(抜粋):
GaP基板上にGaAs<SB>1-x</SB> P<SB>x</SB> (0.45<x<1)エピタキシャル層を有してなるPN接合型発光ダイオードであって、GaP基板が上面となる構造としたことを特徴とする発光ダイオード。
引用特許:
審査官引用 (11件)
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光半導体デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-060948
出願人:スタンレー電気株式会社
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発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-218470
出願人:三菱化学株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-100215
出願人:日亜化学工業株式会社
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半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-351646
出願人:株式会社東芝
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発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-079018
出願人:株式会社エピテックス
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特開昭60-007721
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特開昭60-105241
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特公昭51-023868
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特開昭60-007721
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特開昭60-105241
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特公昭51-023868
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