発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-217339
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065211
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】光の取出し効率の向上した高出力の発光ダイオードを工業的有利に提供する。【解決手段】 GaP基板上にGaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>(0.45<x<1)エピタキシャsル層を有してなるPN接合型発光ダイオードであって、GaP基板が上面となる構造とする。

請求項（抜粋）：

GaP基板上にGaAs<SB>1-x</SB> P<SB>x</SB> (0.45<x<1)エピタキシャル層を有してなるPN接合型発光ダイオードであって、GaP基板が上面となる構造としたことを特徴とする発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (8件)

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