特許
J-GLOBAL ID：200903099734001009

ポリシリコン評価方法並びに薄膜トランジスタ製造システム及び方法

発明者：
和田 裕之

和田 裕之 について

, 
梅津 暢彦

梅津 暢彦 について

, 
田附 幸一

田附 幸一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012105
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217107
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 低温多結晶化プロセスで形成されたポリシリコン膜の結晶状態を評価する際に、確実に評価結果を得る。【解決手段】 エキシマレーザによる低温多結晶化工程時に、アモルファスシリコンに与えるエネルギ密度に応じて、形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れる。ポリシリコン膜の表面画像を紫外光で撮像し、この画像から膜表面の周期性を自己相関関数を利用して数値化(AC値化)する。このAC値に基づき膜の状態を評価して、エキシマレーザパワーを設定する。ここで本発明では、希HFで基板が洗浄された後、且つ、レーザアニール処理の前に、アモルファスシリコン膜の表面を酸化させ、自然酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上にアモルファスシリコン膜を成膜し、成膜したアモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理することによって形成されたポリシリコン膜を評価するポリシリコン膜の評価方法において、アモルファスシリコン膜の表面に酸化膜を形成し、酸化膜を形成したアモルファスシリコン膜にレーザアニール処理してポリシリコン膜を形成したポリシリコン膜に対して、集光した紫外光を照射し、その反射光を検出し、検出した上記反射光を撮像部で撮像し、上記ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び/又は周期性を評価し、この直線性及び/又は周期性の評価結果に基づき上記ポリシリコン膜の状態を評価することを特徴とするポリシリコン評価方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 T ,  H01L 21/66 L ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (40件)：
4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA07 ,  4M106CA38 ,  4M106DB04 ,  4M106DB30 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA15 ,  5F052JA02 ,  5F110AA24 ,  5F110BB02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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