特許
J-GLOBAL ID：200903099762438285
薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-318854
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162410
出願日： 1995年12月07日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 良好な膜質のp-Siを得ることで、高性能、高信頼性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置を提供する。【解決手段】 透光性ガラス基板1上に高熱伝導性薄膜層2をパターニングする。その上に下地絶縁膜層3を堆積する。レーザー結晶化により形成されたp-Si半導体層4をパターニングする。この際、高熱伝導性薄膜層2を半導体層4の領域に重畳するように位置付ける。ゲート絶縁膜5の堆積、ゲート電極6のパターニング、層間絶縁膜層7の堆積、ソース電極9及びドレイン電極10の形成を行う。
請求項（抜粋）：
透光性ガラス基板上に堆積された下地絶縁膜層と、前記下地絶縁膜層上に堆積された半導体層とを備えた薄膜トランジスタであって、前記透光性ガラス基板と下地絶縁膜層との間には、高熱伝導性薄膜層が少なくとも前記半導体層の領域に重畳するように介在されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
H01L 29/78 627 G
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 E
